マイクロン・テクノロジー / MU ：最新の2024年第2四半期決算と今後の株価見通し・将来性 - 後編（Micron）

※「マイクロン・テクノロジー / MU ：最新の24年第2四半期決算と今後の株価見通し・将来性 - 前編（Micron）」の続き

マイクロン・テクノロジー（MU）のサーバー市場の見通しに関して

サーバー市場の場合、マイクロン・テクノロジー（MU）の見通しは、下記の通り、3カ月前の1桁台半ばの成長予測から、最新の決算説明会では1桁台半ばから後半の成長予測に改善されている。

「データセンターでは、AIサーバーの力強い成長と従来型サーバーの緩やかな成長への回帰に牽引さ れ、2024年暦年の業界全体のサーバーユニット出荷台数は1桁台半ばから後半の成長が見込まれる。」

スマートフォン・セグメントと同様に、マイクロンはデータセンター・セグメントに関してはかなり有利な立場にあるが、同社のHBM製品はSKハイニックスに比べて市場投入が1年以上遅れている。

そして、下記のコメントの通り、マイクロン・テクノロジーは当然ながら、特にAccelerated AIサーバーの波に乗ろうとしている。

「メモリ帯域幅、消費電力、全体的なパフォーマンスを向上させることは、最新のGPUまたはASIC Accelerated AIサーバー内でAIの作業負荷をコスト効率よく拡張するために不可欠です。 当社の顧客は、GPUおよびASICベースのサーバー・プラットフォームで積極的なAIロードマップを推進しており、大幅な高コンテンツ、高性能のメモリおよびストレージ・ソリューションを必要としています。」

マイクロン・テクノロジー（MU）のHBM市場の見通しに関して

マイクロン・テクノロジー（MU）は前四半期に最初のHBM3E製品を出荷し、今四半期には大量生産/出荷に移行しています。

「当社はHBM製品の立ち上げ計画を順調に実行しており、生産能力、歩留まり、品質の立ち上げにおいて大きな進歩を遂げました。 第2四半期には量産を開始し、HBM3Eから最初の売上高を計上しました。現在、HBM3E製品の量産出荷を開始しています。」

下記のコメントからも、彼らはエヌビディア（NVDA）のH200 GPUでデザイン上の優位性を獲得しているが、彼らが2番手（或いは、3番手）の供給元であることは明らかである。

「当社のHBM3E製品は、NvidiaのH200 Tensor Core GPUの一部となります。また、複数の顧客との間で、さらなるプラットフォームの認定に向けて前進しています。」

売上高面では、マイクロン・テクノロジーは2024年度に「数億ドル」の売上高を見込んでいる。

この場合の "数億ドル "は "3億ドル "近辺を意味すると私は解釈している。

興味深いのは、決算説明会議での以下の発言で、 HBMは24年第2四半期ではDRAMと全体の粗利率の足を引っ張っていたが、今期はプラスに転じると示していることである。

「私達は、2024年度にHBMから数億ドルの売上高を上げる予定であり、第3四半期からHBMの売上高がDRAMおよび全体の粗利益率にプラスに転じると予想しています。」

そして、下記の発言からも、HBMに関する限り、同社の将来は明るいように見える。

「当社のHBMは2024年暦年で完売しており、2025年の供給の圧倒的大部分はすでに割り当てられています。」

迫り来る供給制約

マイクロン・テクノロジー（MU）はかなり以前から、最先端でないメモリ製品に関しては供給不足が迫っていると述べてきた。

これは、すべての主要プレーヤーが2023年に実施した大幅な設備投資削減と、多くの製品で最大30％の生産削減によるものである。

不況の間、同社と同業他社はノード移行に注力し、古いノードからツールを撤去し、移行を可能にするために古いノードを新しいノードに移動させた。

下記のコメントにもある通り、その結果、2024年度末には、2年前のピーク時に比べて、ウェーハ生産能力が約12%低下することが予想されている。

「最先端ノードへの転換をサポートするために旧ノードの装置を再利用するというマイクロンの資本効率の高いアプローチは、当社のDRAMおよびNANDウェーハ容量に構造的な大幅な削減をもたらしました。当社は現在、量産ノードをフルに活用しており、構造的に低下した生産能力に対して最大限の生産を行っています。 このようなノードの移行とそれに伴うウェーハ生産能力の縮小は、業界全体の現象であると考えています。 2024年度末のDRAMとNANDのウェーハ生産能力は、ピーク時の2022年度に比べて2桁台前半に減少すると予測しています。」

そして、ここにはもうひとつ、需給バランスの観点から事態を悪化させる要因がある。

HBMは、非HBM構成のDRAMに比べて3倍のウェーハ容量を必要とするのである。

「そのため、HBMへのウェハー移行に関するご質問については、HBM -- HBM3Eが同じビットを生産するために、同じ容量の同じテクノロジー・ノードでDDR5の約3倍のウェハーを必要とすることを強調しました。 したがって、これはもちろんシリコン集約度の高い技術であり、HBMとD5の間のこの3倍の取引比率は、業界全体で実に一般的なものです。」

ところで、HBMが3倍のウエハーサイズを必要とする理由は、積層ウエハーを接続するために必要なTSV（垂直コネクター）のために、各ウエハー上に確保しなければならないスペースが存在するためである。

多くの接続が必要なため、多くのスペースが必要となり、それが3倍の理由となっている。

サンジャイ・メヘロトラCEOによると、このことはHBM以外の供給に「多大な圧力」をかけることになるという。

「そして、これは非HBMの供給に多大な圧力をかけている。 3対1の取引比率、HBMの需要の増加、HBMの収益性の向上により、メモリの非HBM部分が逼迫しています。 これが、最先端ノードの供給が非常に逼迫していると言う理由です。 その結果、D5やその他のDDR製品も、供給が非常に逼迫していることから、収益性が改善することを十分に期待しています。 もちろん、HBMも好調です。LTAを見ると、すでに24年と25年の供給が確定していることをお話ししました。そしてこのことは、我々のD5とLP5、顧客とのLPAにおけるポジションに対する信頼を高めるものです。」

2023年11月、私たちはレポートにおいて、既にこのような状況が近づいていることを強調した。

そして、我々の重要な結論のひとつは次のようなものだった。

「あえて予測させていただくと、24年第2四半期中に「メモリ不足が価格高騰の引き金に」という見出しを目にすることになるだろう。」

さて、DRAMとNANDの前四半期比平均販売価格の上昇を見る限り、この価格高騰はすでに始まっており、見出しがまだ追いついていないだけだと言えるだろう。

また、同社の最新決算におけるアウトパフォームがHBMとは無関係であることは、もう明らかでしょう（結局のところ、HBMはマージンの足を引っ張っていた）。

しかし、すべての主要プレーヤーがHBMに全力を注いでいるという事実と、2年前と比較してHBM以外の製品のウェハ容量が全体的に10～15％減少しているという事実が組み合わさると、HBMやDDR5以外のあらゆるものが不足する道を急ピッチで進んでいることは避けられないということになる。

最後に

メモリ部門は、AI関連のラリーを楽しむことになるだろう。

SKハイニックスの場合はすでに進行中であり、マイクロン・テクノロジー（MU）と同業他社が追いつき始めている。

ウェスタンデジタルも今後数週間は要注意だ。

少なくとも今後2年間はHBMが主要プレーヤーの売上高と利益を牽引するだろうが、その後、各社がHBM容量に過剰投資した結果、再びメモリ不況の引き金となるだろう。

一方、古いノードのメモリープレーヤーは、HBMを提供できないにもかかわらず、古いノード製品の供給不足が迫っていることから利益を得るだろう。

特にNanyaとWinbondが代表的な企業として思い浮かぶが、おそらく他にもいるだろう。

ちなみに、CXMTとYMTCを筆頭とする中国メモリ大手にもチャンスがあるだろう。

これについてはまた後日詳細を説明したい。